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瑞萨推出导通电阻仅为150m的600V耐

2019-10-19 0人读过

  瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,“RJL60S5系列”在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率MOSFET后,可以降低功耗,该产品主要面向空调等家电产品。

  RJL60S5系列的栅源间电压为± 0V,额定漏电流为20A。漏源间电压为25V时,反馈电容为1 pF(标称值)。栅源间阈值电压的最小值为 V,最大值为5V。内置快恢复二极管(FRD:Fast Recovery Diode),FRD的正向电压为0.96V。该产品将FRD的反向恢复时间缩短至150ns,约相当于瑞萨原来的SJ型功率MOSFET的约1/ ,因此还可应用于高速马达驱动用途。

  RJL60S5系列备有三种封装的产品,分别是采用TO-220EP封装的“RJL60S5DPP”,采用TO- PSG封装的“RJL60S5DPK”,以及采用LDPAK封装的“RJL60S5DPE”。三款产品的样品价格均为200日元,将从2012年12月开始量产,量产规模方面,预定截至201 年 月达到月产50万个。

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